KGT25N120NDA TO-3P
![]() برای تصویر بزرگتر کلیک نمایید |
|
ترانزیستور KGT25N120NDA در بستهبندی TO-3P یک ترانزیستور IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) با مشخصات قدرت بالا است که در کاربردهای سوییچینگ ولتاژ و جریان زیاد، مانند منابع تغذیه سوئیچینگ، درایو موتور و اینورترها استفاده میشود.
مشخصات فنی KGT25N120NDA:
نوع: IGBT (ترانزیستور دوقطبی با گیت عایقشده)
ولتاژ کلکتور-امیتر (V<sub>CES</sub>): 1200V
جریان کلکتور (I<sub>C</sub>): 25A (در دمای 25°C)
ولتاژ گیت-امیتر (V<sub>GE</sub>): ±20V
توان تلفاتی (P<sub>tot</sub>): حدود 250W (بسته به نوع هیتسینک)
بستهبندی: TO-3P (برای نصب روی هیتسینک و دفع حرارت بالا)
ویژگیها:
زمانهای سوئیچینگ سریع
تلفات کم در حالت هدایت (Low V<sub>CE(sat)</sub>)
مناسب برای کاربردهای فرکانس متوسط تا بالا
کاربردها:
اینورترها (Inverters)
درایور موتورهای AC و DC
منابع تغذیه سوئیچینگ صنعتی (SMPS)
منابع تغذیه UPS
جوشکاری الکتریکی
نظر شما: نکته: کد HTML مجاز نیست!
رتبه: بد خوب
کد نمایش داده شده را تایپ نمایید: