TR TO-220

RFU20TM5S از خانواده Super Fast Recovery Diode شرکت ROHM است که در بسته TO‑220FN با پایه‌های سوراخ‌دار طراحی شده است. این دیود دارای ساختار سیلیکون اپیتاکسیال پلنار و مجهز به کاتد مشترک (Common Cathode) می‌باشد ویژگی‌ها ولتاژ معکوس تکرارشونده (VRM/VR): 530 ولت جریان مستقیم متو...

تراشه RJK6026 در پکیج TO-220F معمولاً یک ترانزیستور ماسفت (MOSFET) است که کاربرد زیادی در مدارهای سوئیچینگ و تقویت توان دارد. مشخصات فنی کلیدی: ولتاژ درین-سورس (Vds): 600 ولت جریان درین (Id): 5 آمپر مقاومت روشن (Rds(on)): حدود 2.0 اهم در جریان 2.5 آمپر و ولتاژ گیت 10 ولت توان اتلافی (Pd): 62.5 ...

RJP6055 (احتمالاً همان RJP6065 / RJP6055 تحت برند Renesas) یک تریستور IGBT کانال N با پکیج TO‑220F است. RJP6055DPM (یا RJP6065A) یک IGBT با ولتاژ 600 V، جریان 40 A، صلب و سرعت بالا است، مناسب انواع کاربردهای قدرت و سوئیچینگ سنگین، در پکیج TO‑220F سازگار با هیت‌سینک. مشخصات کلیدی RJP6055 (RJ...

ترانزیستور قدرت FQP6N60 از نوع N-Channel MOSFET با ولتاژ کاری 600 ولت و جریان 6 آمپر، مناسب کاربردهایی با ولتاژ بالا و توان متوسط تا بالا است. در ادامه، کاربردهای متداول این قطعه را فهرست کرده‌ام: مشخصات کلیدی ولتاژ درین‑سورس (V_DSS): 600 V جریان خروجی پیوسته: 6.2 A (در...

FQPF10N60C یک MOSFET پرقدرت با ولتاژ بالا و جریان متوسط است، مناسب برای منابع تغذیه و مدارات سوئیچینگ AC/DC و PFC.است  مشخصات کلیدی نوع: N‑Channel Power MOSFET ولتاژ Drain‑Source (V_DSS): 600 V جریان پیوسته (I_D): 9.5 A @ 25 °C، 5.7 A @ 100 &d...

FQPF12N60C TO-220F یک ترانزیستور MOSFET نوع N قدرت است که در بسته‌بندی TO-220F عرضه می‌شود. مشخصات کلیدی FQPF12N60C TO-220F نوع: MOSFET قدرت N-Channel بسته‌بندی: TO-220F (بسته‌بندی با فین خنک‌کننده) ولتاژ درین-سورس (V_DS): 600 ولت جریان درین (I_D): تا 12...

13N60 FQPF13N60C MOSFET N-CH 13A 600V TO220F Type Designator: 13N60A Type of Transistor: MOSFETType of Control Channel: N -ChannelMaximum Power Dissipation: 116 W| Maximum Drain-Source Voltage: 600 V  ...

FQP6N60C (TO‑220): پیشنهاد برای کاربردهایی که نیاز به توان بالا (تا 125 W) دارند و می‌توانند هیت‌سینک مناسبی فراهم کنند. FQPF6N60C (TO‑220F): مناسب برای طراحی‌های فشرده‌تر با توان حدود 40 W یا بدون هیت‌سینک. مشخصات کلیدی FQPF6N60C – TO‑220F نوع: N‑Channel DMOS MOSFE...

FQPF7N60C 7N60C 7N60 600V 7A MOSFET N-Channel transistor TO-220F  Type Designator: FQPF7N60\    Type of Transistor: MOSFET Type of Control Channel: N -Channel    Maximum Power Dissipation: 48 W| Maximum Drain-Source Voltage: 600 V    | Maxim...

FDPF12N60NZ 12N60NZ TO220 12A600V original FDPF12N60NZ یک ترانزیستور MOSFET N-Channel قدرت است که توسط شرکت‌های مختلف (مثل Fairchild یا ON Semiconductor) ساخته می‌شود و در بسته‌بندی استاندارد TO-220F عرضه می‌گردد. این MOSFET مخصوص کاربردهای توان بالا و سوئیچینگ سر...

قطعه FQPF11N80C (یا 11N80C)  یک MOSFET توان N‑کانال در بسته TO‑220F-3 (FullPak) با مشخصات زیر است: مشخصات کلیدی ولتاژ شکست (V_DSS): 800 V جریان پیوسته (I_D): 11 A (در TC=25 °C) R_DS(on): تقریباً 0.45 Ω @ V<sub>...

FQPF 4N80C 4N80 TO220F  FQPF4N80800V N-Channel MOSFET General DescriptionThese N-Channel enhancement mode power field effecttransistors are produced using Fairchild’s proprietary,planar stripe, DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored tominimize on-state...