ترانزیستور RJP30H2 یک IGBT کانال N با عملکرد سوئیچینگ سریع است که توسط شرکت Renesas Electronics تولید شده و در بسته‌بندی TO-220F عرضه می‌شود. این قطعه برای کاربردهایی مانند منابع تغذیه سوئیچینگ، درایورهای موتور و سیستم‌های صنعتی طراحی شده است.
مشخصات فنی کلیدی:
نوع: IGBT کانال N...
198,450 تومان
|
ترانزیستور 2SK4005-01MR یک MOSFET قدرت نوع N-Channel است که توسط شرکت‌هایی مانند Toshiba تولید شده و برای کاربردهای سوئیچینگ ولتاژ بالا به‌ویژه در منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS) طراحی شده است.
مشخصات فنی (2SK4005-01MR):
نوع: N-Channel Power MOSFET
حداکثر ولتاژ درین-سورس (Vds): 900 ...
153,900 تومان
|
ترانزیستورGT30F126 یک IGBT (ترانزیستور دوقطبی با گیت عایق‌شده) کانال N است که توسط شرکت Toshiba تولید شده و برای کاربردهای با ولتاژ بالا و جریان زیاد طراحی شده است. این قطعه در سیستم‌های اینورتر، منابع تغذیه سوئیچینگ، درایورهای موتور، منابع تغذیه بدون وقفه (UPS)، نمایشگرهای پلاسما (PDP) و ...
109,350 تومان
|
RFU20TM5S TO-220,Super Fast Recovery Diode
RFU20TM5S - 20 A, 530 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC Super Fast Recovery Diode
The RFU20TM5S from ROHM manufacturer is a Diodes, Rectifiers - Single with DIODE FAST REC 530V 20A TO220N-3. The RFU20TM5S is Diode Standard 530V 20A Through Hole ...
95,175 تومان
|
RJK6026DPP-E0 600V - 5A - MOS FET High Speed Power Switching
Type Designator: RJK6025 Type of Transistor: MOSFET Type of Control Channel: N -Channel Maximum Power Dissipation: 25 W
Maximum Drain-Source Voltage: 600 V Maximum Gate-Source Voltage: 30 V Maximum D...
95,175 تومان
|
RJP6055 RJP6065DPP
LCD TV Plasma MOS FET transistor
RJP6055 TO220F original
DescriptionThis is 630V, Silicon N-Channel IGBT.
Features1. Low collector to emitter saturation voltage :
VCE(sat)= 1.8 V typ. (IC= 40 A, VGE= 15V, Ta = 25°C)
2. Gate to emitter volt...
121,500 تومان
|
MIP3E5MY MIP3E5M Integrated Circuit TO-220
original
Part Number: MIP3E5MY
Function: 700V, 1.1A, MOSFET
Package: TO-220 Type
Manufacturer: Panasonic
...
226,800 تومان
|
Type Designator: FQP6N60 Type of Transistor: MOSFET Type of Control Channel: N -Channel Maximum Power Dissipation: 130 W Maximum Drain-Source Voltage: 600 V Maximum Gate-Source Voltage: 30 V &nbs...
39,690 تومان
|
Type Designator: FQPF10N60C Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel Maximum Power Dissipation: 50 WMaximum Drain-Source Voltage: 600 V| Maximum Gate-Source Voltage: 30 VMaximum Gate-Threshold Voltage: 4 V| Maximum Drain Current: 9.5 A
Maximum Junct...
49,815 تومان
|
FQPF12N60C TO-220F یک ترانزیستور MOSFET نوع N قدرت است که در بسته‌بندی TO-220F عرضه می‌شود.
مشخصات کلیدی FQPF12N60C TO-220F
نوع: MOSFET قدرت N-Channel
بسته‌بندی: TO-220F (بسته‌بندی با فین خنک‌کننده)
ولتاژ درین-سورس (V_DS): 600 ولت
جریان درین (I_D): تا 12...
56,700 تومان
|
13N60 FQPF13N60C MOSFET N-CH 13A 600V TO220F
Type Designator: 13N60A Type of Transistor: MOSFETType of Control Channel: N -ChannelMaximum Power Dissipation: 116 W| Maximum Drain-Source Voltage: 600 V
...
59,535 تومان
|
FQPF6N60C 6N60 TO220F
Type Designator: FQPF6N60C Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation: 40 W|Maximum Drain-Source Voltage: 600 V Maximum Gate-Source Voltage: 30 Maximum Gate-Threshold Voltage: 4 VMaximum Drain Current: 5.5 ...
40,095 تومان
|
خانه
پیشنهاد ما
ورود
حساب کاربری
سبد
اتمام خرید
تماس با ما
سبد خرید
نماد اعتماد
فروشگاه امیرآی سی
جستجو کالا
اطلاعات
دسته بندی ها
آخرین محصولات
