ADP3110AKCPZ LE3 QFN8 original
![]() برای تصویر بزرگتر کلیک نمایید |
|
ADP3110AKCPZ ADP3110AK ADP3110A 3110A (L3E L3C L3,...) QFN-8
original
آیسی ADP3110AKCPZ یک درایور گیت MOSFET دوگانه با ولتاژ ۱۲ ولت است که توسط شرکت onsemi طراحی و تولید شده است. این آیسی برای راهاندازی MOSFETهای N-Channel در توپولوژیهای مبدل باک سنکرون (Synchronous Buck Converter) بهویژه در منابع تغذیه پردازندههای چندفازی (Multiphase CPU Supplies) بهینهسازی شده است
مشخصات فنی کلیدی
-
نوع بستهبندی: DFN-8 (3x3 mm) با پد حرارتی (Exposed Pad)
-
پیکربندی درایور: نیمپل (Half-Bridge)
-
تعداد درایورها: ۲ (برای گیت بالا و پایین)
-
نوع گیت: MOSFET (N-Channel)
-
ولتاژ تغذیه: ۴٫۶ ولت تا ۱۳٫۲ ولت
-
ولتاژ حداکثر سمت بالا (Bootstrap): ۳۵ ولت
-
زمانهای صعود و نزول: ۲۰ نانوثانیه (صعود)، ۱۱ نانوثانیه (نزول)
-
دمای کاری: ۰°C تا ۱۵۰°C
-
ویژگیهای حفاظتی:
-
حفاظت در برابر هدایت همزمان (Shoot-Through) با استفاده از مدار ضد تداخل (Anticross Conduction)
-
قابلیت غیرفعالسازی خروجیها از طریق پین OD
-
قفل ولتاژ پایین (Undervoltage Lockout)
-
خاموشی حرارتی (Thermal Shutdown)
-
توجه به اصالت کالا: در بازار قطعات الکترونیکی، احتمال وجود قطعات تقلبی وجود دارد. توصیه میشود از منابع معتبر و با سابقه خرید کنید.
توجه به شرایط محیطی: این آیسی معمولاً در دمای کاری بین ۰ تا ۱۵۰ درجه سانتیگراد عملکرد بهینه دارد.
نظر شما: نکته: کد HTML مجاز نیست!
رتبه: بد خوب
کد نمایش داده شده را تایپ نمایید: