خانه
پیشنهاد ما
ورود
حساب کاربری
سبد
اتمام خرید
تماس با ما
سبد خرید
نماد اعتماد
فروشگاه امیرآی سی
جستجو کالا
اطلاعات
دسته بندی ها
آخرین محصولات
60R580P MMD60R580P TO252
 برای تصویر بزرگتر کلیک نمایید |
|
ترانزیستور MMD60R580P یک ماسفت (MOSFET) قدرتی N-Channel با ولتاژ بالا است که توسط شرکت MagnaChip Semiconductor تولید شده و در بسته‌بندی TO-252 (DPAK) عرضه می‌شود. این ماسفت با استفاده از فناوری Super Junction طراحی شده است که مقاومت در حالت روشن پایین و شارژ گیت کم را فراهم می‌کند، که منجر به افزایش بهره‌وری و کاهش تلفات توان می‌شود.
مشخصات فنی کلیدی
-
نوع ترانزیستور: N-Channel Power MOSFET
-
ولتاژ شکست درین-سورس (V<sub>DS</sub>): 600 ولت
-
جریان درین مداوم (I<sub>D</sub>): 8 آمپر در دمای 25°C
-
مقاومت در حالت روشن (R<sub>DS(on)</sub>): حداکثر 0.58 اهم
-
شارژ گیت کل (Q<sub>g</sub>): 18 نانوکولن
-
ولتاژ گیت-سورس (V<sub>GS</sub>): ±30 ولت
-
توان تلفاتی کل (P<sub>D</sub>): 26 وات
-
دمای کاری: از -55 تا +150 درجه سانتی‌گراد
-
بسته‌بندی: TO-252 (DPAK)
-
ویژگی‌های اضافی:
-
تست آوالانچ 100٪
-
بسته‌بندی سبز – بدون سرب و هالوژن
-
طراحی برای کاهش EMI و تلفات سوئیچینگ
-
کاربردهای رایج
-
مراحل اصلاح ضریب توان (PFC) در منابع تغذیه
-
کاربردهای سوئیچینگ با فرکانس بالا
-
آداپتورها و شارژرهای AC-DC
-
کنترل موتورهای الکتریکی
-
مبدل‌های DC-DC
-
-
نظر شما: نکته: کد HTML مجاز نیست!
رتبه: بد خوب
کد نمایش داده شده را تایپ نمایید:
برای تصویر بزرگتر کلیک نمایید
برای تصویر بزرگتر کلیک نمایید
برای تصویر بزرگتر کلیک نمایید
