FDV303N SOT-23
![]() برای تصویر بزرگتر کلیک نمایید  | 
        
  | 
      
ترانزیستور FDV303N یک MOSFET کانال N با بستهبندی کوچک SOT-23 است که برای کاربردهای سطح پایین و کمقدرت طراحی شده است. این قطعه معمولاً در مدارات منطقی، سوئیچینگهای سبک، و تجهیزات قابلحمل استفاده میشود.
مشخصات اصلی FDV303N:
- 
نوع: N-Channel MOSFET
 - 
ولتاژ درین-سورس (V<sub>DS</sub>): 25 ولت
 - 
حداکثر جریان درین (I<sub>D</sub>): 0.75 آمپر
 - 
مقاومت در حالت روشن (R<sub>DS(on)</sub>): حدود 0.125 اهم (در V<sub>GS</sub> = 2.5V)
 - 
حداکثر توان تلفاتی (P<sub>D</sub>): حدود 350 میلیوات (وابسته به دمای محیط)
 - 
ولتاژ گیت-سورس (V<sub>GS</sub>): ±8 ولت
 - 
بستهبندی: SOT-23 (بسیار کوچک، مناسب برای PCBهای فشرده)
 - 
ویژگیهای کلیدی:
مناسب برای سوئیچینگ با سطح ولتاژ و جریان پایینسرعت سوئیچینگ بالا
مناسب برای کاربردهای باتریخور و قابلحمل
کنترل با ولتاژ گیت پایین (low gate threshold)
 - 
کاربردها:
- 
رگولاتورهای کممصرف
 - 
تقویتکنندههای سوئیچینگ
 - 
لود سوئیچها (Load switches)
 - 
تجهیزات قابلحمل (مثل موبایل و IoT)
 - 
اینترفیس با مدارهای منطقی 3.3V یا 5V
 
 - 
 
نظر شما: نکته: کد HTML مجاز نیست!
رتبه: بد خوب
کد نمایش داده شده را تایپ نمایید:










































-250x250.jpg)
