IMH23 H23 SOT23-6 original
![]() برای تصویر بزرگتر کلیک نمایید |
|
آیسی IMH23 یک ترانزیستور دیجیتال دوگانه (Dual Digital Transistor) از نوع NPN+NPN است که توسط شرکت ROHM Semiconductor طراحی شده است. این قطعه در بستهبندیSOT23-6 (معروف به SMT6) ارائه میشود و برای کاربردهای سوئیچینگ با ولتاژ و جریان پایین مناسب است.
مشخصات فنی کلیدی
-
ولتاژ کلکتور-امیتر (V<sub>CEO</sub>): حداکثر ۲۰ ولت
-
جریان کلکتور مداوم (I<sub>C</sub>): حداکثر ۶۰۰ میلیآمپر
-
ولتاژ کلکتور-بیس (V<sub>CBO</sub>): حداکثر ۲۰ ولت
-
ولتاژ امیتر-بیس (V<sub>EBO</sub>): حداکثر ۱۲ ولت
-
توان اتلافی (P<sub>C</sub>): حداکثر ۳۰۰ میلیوات
-
ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر (V<sub>CE(sat)</sub>): حداکثر ۱۵۰ میلیولت در جریان ۵۰ میلیآمپر
-
تقویت جریان DC (hFE): بین ۸۲۰ تا ۲۷۰۰ در ولتاژ ۵ ولت و جریان ۵۰ میلیآمپر
-
فرکانس انتقال (f<sub>T</sub>): حداکثر ۱۵۰ مگاهرتز
-
مقاومت ورودی (R<sub>in</sub>): ۴.۷ کیلواهم
-
دمای کاری ترانزیستور: از -۵۵ تا +۱۵۰ درجه سانتیگراد
-
دمای کاری کیس (Tc): ۲۵ درجه سانتیگراد
-
ویژگیها
-
ترکیب دو ترانزیستور DTC643T در یک بسته: این طراحی باعث کاهش فضای مورد نیاز در مدارها میشود.
-
مقاومت ورودی ۴.۷ کیلواهم: این ویژگی امکان استفاده از ترانزیستور در مدارهایی با ورودیهای دیجیتال را فراهم میکند.
-
ولتاژ اشباع پایین: V<sub>CE(sat)</sub> حدود ۴۰ میلیولت در جریان ۵۰ میلیآمپر، که باعث کاهش تلفات توان در مدار میشود.
-
بستهبندی SOT-457: این بستهبندی مناسب برای مونتاژ سطحی (SMD) است و در مدارهای با فضای محدود کاربرد دارد.
-
کاربردها
آیسی IMH23 برای کاربردهایی مانند:
-
مدارهای میوتینگ (Mute Circuits)
-
مدارهای سوئیچینگ با ولتاژ و جریان پایین
-
مدارهای دیجیتال با ورودیهای کمولتاژ
مناسب است و میتواند در دستگاههایی مانند رادیوها، تلویزیونها، و سایر تجهیزات الکترونیکی با نیاز به سوئیچینگ دیجیتال استفاده شود
-
-
نظر شما: نکته: کد HTML مجاز نیست!
رتبه: بد خوب
کد نمایش داده شده را تایپ نمایید: