BD82032FVJ-GE2 D82032 D82 032 MSOP8

تراشه BD82032FVJ-GE2 یک سوئیچ قدرت (Power Switch) تک‌کاناله از نوع High-Side است که توسط شرکت ROHM Semiconductor طراحی و تولید شده است. این تراشه با بهره‌گیری از ترانزیستور MOSFET کانال N با مقاومت روشنایی پایین و مصرف جریان کم، برای مدیریت خطوط تغذیه در دستگاه‌های USB و کاربردهای مشابه طراحی شده است

مشخصات فنی کلیدی

• نوع سوئیچ: High-Side با ترانزیستور MOSFET کانال N

• ولتاژ ورودی: 4.5 ولت تا 5.5 ولت

• جریان خروجی (حداکثر): 2 آمپر

• مقاومت در حالت روشن (R_DS(on)): 72 میلی‌اهم (نوعی)

• مصرف جریان در حالت آماده‌به‌کار: 0.01 میکروآمپر (نوعی)

• منطق کنترل ورودی: فعال در سطح بالا (Active High)

• ویژگی‌های حفاظتی:

  • محافظت در برابر جریان بیش از حد (OCP) با آستانه 2.0 آمپر

  • محافظت در برابر دمای بالا (TSD)

  • قفل ولتاژ پایین (UVLO)

  • محافظت در برابر جریان معکوس هنگام خاموش بودن سوئیچ

• خروجی پرچم خطا: Open-Drain (پایین در صورت بروز خطا)

• زمان روشن شدن خروجی: 0.5 میلی‌ثانیه

• بسته‌بندی: TSSOP-B8J (معادل MSOP-8) با ابعاد 3.0 × 4.9 × 1.1 میلی‌متر

• دمای کاری: از -40°C تا +85°C

•  کاربردهای رایج

  • مدیریت تغذیه در پورت‌های USB

  • هاب‌های USB در لوازم مصرفی، رایانه‌ها و تجهیزات جانبی

  • محافظت از بارهای حساس در برابر جریان بیش از حد و دمای بالا

  • سیستم‌های توزیع توان در مدارهای دیجیتال و آنالوگ