6900GSM AP6900GSM SOP8
![]() برای تصویر بزرگتر کلیک نمایید |
|
آیسی 6900GSM یک ماسفت قدرتی دو کاناله (Dual N-Channel MOSFET) با دیود شاتکی داخلی است که در بستهبندی SOP-8 عرضه میشود. این قطعه برای کاربردهای سوئیچینگ با توان متوسط طراحی شده و در منابع تغذیه سوئیچینگ، مبدلهای DC-DC، و مدارهای کنترل موتور بهکار میرود
مشخصات فنی کلیدی
-
نوع ترانزیستور: ماسفت قدرتی دو کاناله N-Channel با دیود شاتکی داخلی
-
ولتاژ درین-سورس (V<sub>DS</sub>): 30 ولت
-
ولتاژ گیت-سورس (V<sub>GS</sub>): ±20 ولت
-
جریان درین مداوم (I<sub>D</sub>): 5.7 آمپر (تا 9.8 آمپر در شرایط خاص)
-
مقاومت در حالت روشن (R<sub>DS(on)</sub>): حداکثر 0.03 اهم (تا 0.022 اهم)
-
شارژ گیت کل (Q<sub>g</sub>): 9 نانوکولن
-
زمان صعود (t<sub>r</sub>): 7 نانوثانیه
-
دمای کاری: تا 150 درجه سانتیگراد
-
بستهبندی: SOP-8
-
ویژگیهای اضافی:
-
دارای دیود شاتکی داخلی برای کاهش تلفات
-
مناسب برای کاربردهای سوئیچینگ با فرکانس بالا
-
طراحی شده با فناوری Trench برای بهبود عملکرد
-
کاربردهای رایج
-
منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)
-
مبدلهای DC-DC
-
مدارهای کنترل موتور
-
تجهیزات الکترونیکی مصرفی
-
-
نظر شما: نکته: کد HTML مجاز نیست!
رتبه: بد خوب
کد نمایش داده شده را تایپ نمایید: