P6006HV SOP8
![]() برای تصویر بزرگتر کلیک نمایید |
|
آیسی P6006HV یک ترانزیستور MOSFET دو کاناله N-Channel از نوع Enhancement Mode است که در بستهبندی SOP-8 عرضه میشود. و برای کاربردهای سوئیچینگ با توان متوسط طراحی شده است.
مشخصات فنی کلیدی P6006HV:
-
ولتاژ شکست درین-سورس (V(BR)DSS): 60 ولت
-
جریان درین پیوسته (ID): 4.5 آمپر (در دمای 25 درجه سانتیگراد)
-
مقاومت در حالت روشن (RDS(on)): حداکثر 60 میلیاهم در VGS = 10V و ID = 4.5A
-
ولتاژ آستانه گیت (VGS(th)): بین 1.0 تا 3.0 ولت
-
توان هدررفت (PD): حداکثر 2 وات (در دمای 25 درجه سانتیگراد)
-
دمای کاری مجاز: از -55 تا +150 درجه سانتیگراد
-
بستهبندی: SOP-8
نوشتن نظر
نام شما:
نظر شما: نکته: کد HTML مجاز نیست!
رتبه: بد خوب
کد نمایش داده شده را تایپ نمایید:

نظر شما: نکته: کد HTML مجاز نیست!
رتبه: بد خوب
کد نمایش داده شده را تایپ نمایید: