6900GSM AP6900GSM SOP8
![]() برای تصویر بزرگتر کلیک نمایید  | 
        
  | 
      
آیسی 6900GSM یک ماسفت قدرتی دو کاناله (Dual N-Channel MOSFET) با دیود شاتکی داخلی است که در بستهبندی SOP-8 عرضه میشود. این قطعه برای کاربردهای سوئیچینگ با توان متوسط طراحی شده و در منابع تغذیه سوئیچینگ، مبدلهای DC-DC، و مدارهای کنترل موتور بهکار میرود
مشخصات فنی کلیدی
- 
نوع ترانزیستور: ماسفت قدرتی دو کاناله N-Channel با دیود شاتکی داخلی
 - 
ولتاژ درین-سورس (V<sub>DS</sub>): 30 ولت
 - 
ولتاژ گیت-سورس (V<sub>GS</sub>): ±20 ولت
 - 
جریان درین مداوم (I<sub>D</sub>): 5.7 آمپر (تا 9.8 آمپر در شرایط خاص)
 - 
مقاومت در حالت روشن (R<sub>DS(on)</sub>): حداکثر 0.03 اهم (تا 0.022 اهم)
 - 
شارژ گیت کل (Q<sub>g</sub>): 9 نانوکولن
 - 
زمان صعود (t<sub>r</sub>): 7 نانوثانیه
 - 
دمای کاری: تا 150 درجه سانتیگراد
 - 
بستهبندی: SOP-8
 - 
ویژگیهای اضافی:
- 
دارای دیود شاتکی داخلی برای کاهش تلفات
 - 
مناسب برای کاربردهای سوئیچینگ با فرکانس بالا
 - 
طراحی شده با فناوری Trench برای بهبود عملکرد
 - 
کاربردهای رایج
- 
منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)
 - 
مبدلهای DC-DC
 - 
مدارهای کنترل موتور
 - 
تجهیزات الکترونیکی مصرفی
 
 - 
 
 - 
 
نظر شما: نکته: کد HTML مجاز نیست!
رتبه: بد خوب
کد نمایش داده شده را تایپ نمایید:














































