خانه
پیشنهاد ما
ورود
حساب کاربری
سبد
اتمام خرید
تماس با ما
سبد خرید
نماد اعتماد
فروشگاه امیرآی سی
جستجو کالا
اطلاعات
دسته بندی ها
آخرین محصولات
FQPF6N60C 6N60 TO220F
 برای تصویر بزرگتر کلیک نمایید |
|
FQP6N60C (TO‑220): پیشنهاد برای کاربردهایی که نیاز به توان بالا (تا 125 W) دارند و می‌توانند هیت‌سینک مناسبی فراهم کنند.
FQPF6N60C (TO‑220F): مناسب برای طراحی‌های فشرده‌تر با توان حدود 40 W یا بدون هیت‌سینک.
مشخصات کلیدی FQPF6N60C – TO‑220F
نوع: N‑Channel DMOS MOSFET
ولتاژ Drain–Source (V<sub>DSS</sub>): 600 V
جریان پیوسته Drain (TC=25 °C): 5.5 A (در 100 °C حدود 3.3 A)
جریان پالس Drain: تقریباً 22 A
مقاومت روشن (R<sub>DS(on)</sub>): 2.0 Ω @ V<sub>GS</sub>=10 V, ID=2.75 A
بار گیت (Q<sub>g</sub>): ~16 nC
خازن C<sub>rss</sub>: ~7 pF
توان اتلافی (TC=25 °C): 40 W (TO‑220F)، کاهش با افزایش دما ~0.31 W/°C
دمای کاری: –55 °C تا +150 °C
کاربردهای رایج
منابع تغذیه سوییچینگ (SMPS): Flyback، Half‑Bridge
Power Factor Correction (PFC)
درایور LED فشار بالا
بالاست‌های الکترونیکی و منابع سوییچینگ ولتاژ بالا
نظر شما: نکته: کد HTML مجاز نیست!
رتبه: بد خوب
کد نمایش داده شده را تایپ نمایید:
برای تصویر بزرگتر کلیک نمایید
برای تصویر بزرگتر کلیک نمایید
برای تصویر بزرگتر کلیک نمایید
