TGAN60N60FD TGAN 60N60 TO3PN

ترانزیستور TGAN60N60FD یک ترانزیستور قدرت نوع GaN FET (ترانزیستور اثر میدانی با نیمه‌هادی گالیوم نیترید) است. این نوع ترانزیستورها نسبت به MOSFETهای سیلیکونی رایج، دارای سرعت سوئیچینگ بالاتر، مقاومت در حالت روشن پایین‌تر، و بهره‌وری انرژی بسیار بهتر هستند.

مشخصات فنی TGAN60N60FD:

نوع قطعه: GaN Power FET (ترانزیستور گالیوم نیترید)
ولتاژ تحمل Drain-Source: 600 ولت
جریان Drain مداوم: ~30 آمپر (بسته به شرایط خنک‌سازی)
مقاومت روشن (R_DS(on)): بسیار پایین (~60 تا 90 میلی‌اهم)
بسته‌بندی: معمولاًTO3PNیا مشابه (نیاز به تأیید دیتاشیت)
نوع کنترل: Gate Drive خاص برای GaN (با ولتاژ درایو پایین‌تر از MOSFET معمولی)
کارایی سوئیچینگ: بسیار بالا، مناسب فرکانس‌های بالا
محافظت‌ها: وابسته به مدار راه‌انداز خارجی (خود قطعه GaN معمولاً بدون محافظت داخلی است)

کاربردها:

منابع تغذیه سوئیچینگ با توان بالا و بهره‌وری بالا

اینورترهای صنعتی و سلول خورشیدی

شارژرهای سریع (Fast Chargers) با توان بالا

منابع تغذیه سرور و دیتاسنتر

کاربردهای خودرویی الکتریکی (EV Powertrain)

تقویت‌کننده‌های Class D و RF

منابع تغذیه در تجهیزات پزشکی و مخابراتی