RJK5020 RJK5020DPKTO-3P-original
![]() برای تصویر بزرگتر کلیک نمایید |
|
original RJK5020DPK RJK5020 TO-3P
ترانزیستور RJK5020DPK یک MOSFET کانال N از نوع Enhancement Mode است که توسط شرکت Renesas Electronics تولید شده و در بستهبندی TO-3P عرضه میشود. این قطعه برای سوئیچینگ توان بالا در کاربردهایی مانند منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)، درایورهای موتور و سیستمهای صنعتی طراحی شده است.
مشخصات فنی کلیدی:
-
ولتاژ شکست درین-سورس (V<sub>DS</sub>): 500 ولت
-
ولتاژ گیت-سورس (V<sub>GS</sub>): ±30 ولت
-
جریان درین پیوسته (I<sub>D</sub>): 40 آمپر
-
جریان درین پالس (I<sub>D(pulse)</sub>): 120 آمپر (پالس ≤ 10 میکروثانیه، چرخه کاری ≤ 1%)
-
توان اتلاف (P<sub>D</sub>): 200 وات (در دمای کیس 25°C)
-
مقاومت در حالت روشن (R<sub>DS(on)</sub>): حداکثر 0.118 اهم
-
بار کل گیت (Q<sub>g</sub>): 126 نانوکولن
-
ظرفیت خروجی (C<sub>oss</sub>): 525 پیکوفاراد
-
زمان افزایش (t<sub>r</sub>): 115 نانوثانیه
-
دمای کاری: از -55 تا +150 درجه سانتیگراد
ویژگیهای عملکردی:
-
سوئیچینگ با سرعت بالا: مناسب برای کاربردهایی که نیاز به پاسخ سریع دارند.
-
نشت جریان پایین: برای افزایش بهرهوری و کاهش تلفات.
-
مقاومت کم در حالت روشن: برای کاهش اتلاف توان و افزایش کارایی.
-
بستهبندی TO-3P: مناسب برای نصب روی هیتسینک و دفع حرارت مؤثر.
نظر شما: نکته: کد HTML مجاز نیست!
رتبه: بد خوب
کد نمایش داده شده را تایپ نمایید: