50N06 FQP50N06 TO220
![]() برای تصویر بزرگتر کلیک نمایید |
|
ترانزیستور FQP50N06 یک MOSFET کانال N با توان بالا و بستهبندی TO-220 است این قطعه برای کاربردهای سوئیچینگ توان بالا مانند منابع تغذیه سوئیچینگ، کنترل موتورهای DC و تقویتکنندههای صوتی مناسب است.
مشخصات فنی کلیدی:
-
نوع ترانزیستور: MOSFET کانال N
-
ولتاژ درین-سورس (V<sub>DS</sub>): 60 ولت
-
جریان درین پیوسته (I<sub>D</sub>): 50 آمپر در دمای 25°C
-
مقاومت در حالت روشن (R<sub>DS(on)</sub>): حداکثر 22 میلیاهم در V<sub>GS</sub> = 10V و I<sub>D</sub> = 25A
-
ولتاژ گیت-سورس (V<sub>GS</sub>): حداکثر ±25 ولت
-
بار گیت (Q<sub>g</sub>): حداکثر 41 نانوکولن در V<sub>GS</sub> = 10V
-
ظرفیت ورودی (C<sub>iss</sub>): حداکثر 1540 پیکوفاراد در V<sub>DS</sub> = 25V
-
توان اتلاف (P<sub>D</sub>): حداکثر 120 وات
-
بستهبندی: TO-220-3 (نصب از طریق سوراخ)
-
دمای کاری: از -55°C تا +175°C
-
کاربردهای اصلی FQP50N06:
1. درایور موتور DC و استپ موتور
-
کنترل سرعت و جهت چرخش موتورهای DC با PWM
-
مناسب برای پروژههای آردوینو و رزبریپای
2. منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)
-
در مدارهای Buck, Boost و Flyback برای قطع و وصل سریع جریان
-
کاهش تلفات توان نسبت به ترانزیستورهای BJT
3. مدارهای اینورتر (Inverter)
-
بهعنوان سوئیچهای کلیدزنی در اینورترهای تکفاز یا سهفاز برای تولید ولتاژ AC از DC
4. کنترل بارهای القایی سنگین
-
رلههای الکترونیکی
-
شیرهای برقی (solenoid)
-
لامپهای فلورسنت و HMI
5. مدارهای روشنایی LED قدرتی
-
تنظیم جریان عبوری از LEDها
-
بهخصوص در نورپردازی صنعتی یا خودرو
6. مدارهای حفاظت و تغذیه معکوس (Reverse Polarity Protection)
-
جلوگیری از آسیب مدار در صورت اتصال اشتباه منبع تغذیه
7. مدارهای باتری شارژر
-
سوئیچینگ بین حالتهای شارژ/تخلیه یا کنترل جریان در مدارهای شارژر خورشیدی
-
نظر شما: نکته: کد HTML مجاز نیست!
رتبه: بد خوب
کد نمایش داده شده را تایپ نمایید: