FQPF10N60C 10N60 TO220F
![]() برای تصویر بزرگتر کلیک نمایید |
|
FQPF10N60C یک MOSFET پرقدرت با ولتاژ بالا و جریان متوسط است، مناسب برای منابع تغذیه و مدارات سوئیچینگ AC/DC و PFC.است
مشخصات کلیدی
نوع: N‑Channel Power MOSFET
ولتاژ Drain‑Source (V<sub>DSS</sub>): 600 V
جریان پیوسته (I<sub>D</sub>): 9.5 A @ 25 °C، 5.7 A @ 100 °C
مقاومت R<sub>DS(on)</sub>: حداکثر 0.73 Ω (V<sub>GS</sub>=10 V، I<sub>D</sub>=4.75 A)
Gate charge (Q<sub>G</sub>): تقریباً 44 nC، Crss حدود 18 pF
توان پخش حرارت: بسته به پکیج حدود 50 W در TO‑220F، تا 156 W در شرایط کیس مثالی
دما کاری: –55 °C الی +150 °C
ولتاژ گیت (V<sub>GS</sub>): ±30 V مجاز
ساختار و فناوری
این MOSFET با فناوری planar stripe DMOS ساخته شده که برای کاهش مقاومت در حالت روشن و بهبود عملکرد سوئیچینگ توسعه یافته است
کاربردها
-
منابع تغذیه سوئیچینگ (SMPS)
-
بلوکهای Power Factor Correction (PFC)
-
Ballast لامپهای الکترونیکی (نیمهپل)
-
سایر مدارهای سوئیچینگ با ولتاژ بالا
نوشتن نظر
نام شما:
نظر شما: نکته: کد HTML مجاز نیست!
رتبه: بد خوب
کد نمایش داده شده را تایپ نمایید:

نظر شما: نکته: کد HTML مجاز نیست!
رتبه: بد خوب
کد نمایش داده شده را تایپ نمایید: