AP4511GD 4511GD DIP-8

تراشه AP4511GD یک جفت ترانزیستور MOSFET تقویت‌شده نوع N و P است که توسط شرکت Advanced Power Electronics Corp. (APEC) تولید می‌شود. این تراشه در بسته‌بندی PDIP-8 ارائه می‌شود و برای کاربردهایی که نیاز به سوئیچینگ سریع، مقاومت پایین در حالت روشن و طراحی مقاوم دارند، مناسب است

 مشخصات فنی کلیدی

• ولتاژ شکست (BVDSS):

  • نوع N: 35 ولت

  • نوع P: -35 ولت

• جریان در حالت پیوسته (ID@TA=25°C):

  • نوع N: 7 آمپر

  • نوع P: -6.1 آمپر

• مقاومت در حالت روشن (RDS(ON)):

  • نوع N: 25 میلی‌اهم

  • نوع P: 40 میلی‌اهم

• ولتاژ آستانه گیت (VGS(th)):

  • نوع N: 1 تا 3 ولت

  • نوع P: مشابه

• شارژ کل گیت (Qg): حداکثر 18 نانوکولن

• توان تلفاتی (PD@TA=25°C): 2 وات

• بسته‌بندی: PDIP-8

• محدوده دمای عملیاتی: -55 تا +150 درجه سانتی‌گراد

•  کاربردهای رایج

  تراشه AP4511GD به دلیل ویژگی‌های فنی خود، در کاربردهایی مانند:

  • مدارهای سوئیچینگ DC-DC

  • مدارهای محافظ باتری

  • مدارهای تبدیل ولتاژ

  • مدارهای کنترل موتور