ZXMN6A08E6 6A8 SOT23-6
![]() برای تصویر بزرگتر کلیک نمایید |
|
ترانزیستور ZXMN6A08E6 یک MOSFET کانال N با حالت افزایش (Enhancement Mode) است که توسط شرکت Diodes Incorporated تولید میشود. این ترانزیستور در بستهبندی SOT-23-6 عرضه میشود و برای کاربردهای سوئیچینگ با سرعت بالا و مدیریت توان در مدارهای فشرده طراحی شده است.
مشخصات فنی کلیدی:
-
نوع ترانزیستور: MOSFET کانال N، حالت افزایش
-
ولتاژ شکست درین-سورس (V<sub>DS</sub>): 60 ولت
-
جریان درین پیوسته (I<sub>D</sub>): تا 3.5 آمپر (در دمای 25 درجه سانتیگراد)
-
مقاومت در حالت روشن (R<sub>DS(on)</sub>):
-
0.080 اهم @ V<sub>GS</sub> = 10V، I<sub>D</sub> = 4.8A
-
0.150 اهم @ V<sub>GS</sub> = 4.5V، I<sub>D</sub> = 4.2A
-
-
ولتاژ آستانه گیت-سورس (V<sub>GS(th)</sub>): حدود 1 ولت
-
ولتاژ گیت-سورس (V<sub>GS</sub>): ±20 ولت
-
توان تلفاتی (P<sub>D</sub>): 1.1 وات (در دمای 25 درجه سانتیگراد)
-
بستهبندی: SOT-23-6 (SOT26)
-
ویژگیها: سرعت سوئیچینگ بالا، مقاومت روشنایی پایین، نیاز به درایو گیت کم، و طراحی مناسب برای مدارهای فشرده
-
کاربردهای معمول:
-
مبدلهای DC-DC: در منابع تغذیه سوئیچینگ و رگولاتورها
-
مدیریت توان در دستگاههای قابل حمل: مانند تلفنهای همراه و تبلتها
-
سوئیچهای بار الکترونیکی: برای کنترل روشن/خاموش بارهای مختلف
-
کنترل موتورهای کوچک: در رباتیک و سیستمهای مکانیکی کوچک
-
مدارهای محافظت از باتری: برای جلوگیری از تخلیه یا شارژ بیش از حد
-
نظر شما: نکته: کد HTML مجاز نیست!
رتبه: بد خوب
کد نمایش داده شده را تایپ نمایید: