خانه
پیشنهاد ما
ورود
حساب کاربری
سبد
اتمام خرید
تماس با ما
سبد خرید
نماد اعتماد
فروشگاه امیرآی سی
جستجو کالا
اطلاعات
دسته بندی ها
آخرین محصولات
IPW6R190E6 6R190E6 TO247
 برای تصویر بزرگتر کلیک نمایید |
|
IPW6R190E6 (با علامت‌گذاری 6R190E6) یک ترانزیستور MOSFET کانال N با ولتاژ شکست ۶۰۰ ولت و جریان پیوسته ۲۰.۲ آمپر است که در بسته‌بندی TO-247 عرضه می‌شود. این قطعه از سری CoolMOS™ E6 شرکت Infineon Technologies بوده و برای کاربردهای سوئیچینگ با توان بالا طراحی شده است.
مشخصات فنی کلیدی:
ولتاژ شکست (Vds): ۶۰۰ ولت
جریان پیوسته (Id @ Tc = 25°C): ۲۰.۲ آمپر
مقاومت در حالت روشن (Rds(on)): ۰.۱۹ اهم
ولتاژ آستانه گیت (Vgs(th)): ۳.۵ ولت
ظرفیت گیت (Qg): ۶۳ نانوکولن
توان اتلافی: ۱۵۱ وات
دمای کاری: -۵۵°C تا +۱۵۰°C
بسته‌بندی: TO-247 (۳ پایه)
نوع ساخت: فناوری Superjunction (SJ) با طراحی CoolMOS™ E6
مشخصات فنی کلیدی:
ولتاژ شکست (Vds): ۶۰۰ ولت
جریان پیوسته (Id @ Tc = 25°C): ۲۰.۲ آمپر
مقاومت در حالت روشن (Rds(on)): ۰.۱۹ اهم
ولتاژ آستانه گیت (Vgs(th)): ۳.۵ ولت
ظرفیت گیت (Qg): ۶۳ نانوکولن
توان اتلافی: ۱۵۱ وات
دمای کاری: -۵۵°C تا +۱۵۰°C
بسته‌بندی: TO-247 (۳ پایه)
نوع ساخت: فناوری Superjunction (SJ) با طراحی CoolMOS™ E6
نظر شما: نکته: کد HTML مجاز نیست!
رتبه: بد خوب
کد نمایش داده شده را تایپ نمایید:
برای تصویر بزرگتر کلیک نمایید
برای تصویر بزرگتر کلیک نمایید
برای تصویر بزرگتر کلیک نمایید
