FR3410 IRFR3410 TO252
![]() برای تصویر بزرگتر کلیک نمایید |
|
ترانزیستور IRFR3410 یک MOSFET کانال N با ولتاژ شکست ۱۰۰ ولت است که در بستهبندی TO-252 (DPAK) عرضه میشود. این قطعه توسط شرکت Infineon Technologies تولید میشود و برای کاربردهایی مانند مبدلهای DC-DC با فرکانس بالا، کلیدهای بار و منابع تغذیه سوئیچینگ مناسب است.
مشخصات فنی کلیدی:
-
نوع ترانزیستور: MOSFET کانال N
-
ولتاژ درین-سورس (V<sub>DS</sub>): ۱۰۰ ولت
-
جریان درین پیوسته (I<sub>D</sub>): ۳۱ آمپر در دمای ۲۵ درجه سانتیگراد
-
مقاومت در حالت روشن (R<sub>DS(on)</sub>): ۳۹ میلیاهم در V<sub>GS</sub> = ۱۰V، I<sub>D</sub> = ۱۸A
-
ولتاژ گیت-سورس (V<sub>GS</sub>): ±۲۰ ولت
-
بار گیت (Q<sub>g</sub>): ۵۶ نانوکولن در V<sub>GS</sub> = ۱۰V
-
توان اتلافی (P<sub>D</sub>): ۱۱۰ وات در دمای ۲۵ درجه سانتیگراد
-
بستهبندی: TO-252 (DPAK)
-
محدوده دمای کاری: از -۵۵ تا ۱۷۵ درجه سانتیگراد
ویژگیهای برجسته:
-
استفاده از فناوری HEXFET® برای کاهش مقاومت و بار گیت
-
مناسب برای کاربردهای با فرکانس بالا و راندمان بالا
-
مطابقت با استانداردهای RoHS و بدون هالوژن
-
کاربردها:
-
مبدلهای DC-DC با فرکانس بالا
-
کلیدهای بار در مدارهای تغذیه
-
منابع تغذیه سوئیچینگ
-
کنترل موتورهای DC
-
نظر شما: نکته: کد HTML مجاز نیست!
رتبه: بد خوب
کد نمایش داده شده را تایپ نمایید: