60R580P MMF60R580P TO220 original
![]() برای تصویر بزرگتر کلیک نمایید  | 
        
  | 
      
MMIS60R580P
600V 0.58Ω N-channel MOSFE  original
ترانزیستور MMF60R580P یک ماسفت (MOSFET) قدرتی N-Channel با ولتاژ بالا است که توسط شرکت MagnaChip Semiconductor تولید شده و در بستهبندی TO-220F عرضه میشود. این ماسفت با استفاده از فناوری Super Junction طراحی شده است که مقاومت در حالت روشن پایین و شارژ گیت کم را فراهم میکند، که منجر به افزایش بهرهوری و کاهش تلفات توان میشود.
مشخصات فنی کلیدی
- 
ولتاژ شکست درین-سورس (V<sub>DS</sub>): 600 ولت
 - 
جریان درین مداوم (I<sub>D</sub>): 8 آمپر در دمای 25°C
 - 
مقاومت در حالت روشن (R<sub>DS(on)</sub>): حداکثر 0.58 اهم
 - 
شارژ گیت کل (Q<sub>g</sub>): 18 نانوکولن
 - 
ولتاژ گیت-سورس (V<sub>GS</sub>): ±30 ولت
 - 
توان تلفاتی کل (P<sub>D</sub>): 26 وات
 - 
دمای کاری: از -55 تا +150 درجه سانتیگراد
 - 
بستهبندی: TO-220F (با عایق حرارتی)
 - 
ویژگیهای اضافی:
- 
تست آوالانچ 100٪
 - 
بستهبندی سبز – بدون سرب و هالوژن
 - 
طراحی برای کاهش EMI و تلفات سوئیچینگ
 
 - 
 
کاربردهای رایج
- 
مراحل اصلاح ضریب توان (PFC) در منابع تغذیه
 - 
کاربردهای سوئیچینگ با فرکانس بالا
 - 
آداپتورها و شارژرهای AC-DC
 - 
کنترل موتورهای الکتریکی
 - 
مبدلهای DC-DC
 
نظر شما: نکته: کد HTML مجاز نیست!
رتبه: بد خوب
کد نمایش داده شده را تایپ نمایید:














































