RJH3047 TO-3P HIGH COPY...
222,750 تومان
|
RJH30A3 TO3P original
...
303,750 تومان
|
RJK5010 (با پکیج فلزی TO‑3P) همان مدل IRFP460 است – یک MOSFET N‑Channel قدرتمند با مشخصات توان بالا
مشخصات کلیدی RJK5010 (IRFP460, TO‑3P)
ولتاژ درین–سورس (V<sub>DSS</sub>): 500 ولت
جریان پیوسته درین (I<sub>D</sub>): 20 A در دمای قاب ×25°C
مقاومت روشن...
194,400 تومان
|
تراشه RJP2557 در بستهبندی TO-3P یک ترانزیستور قدرت MOSFET است که معمولاً برای کاربردهای سوئیچینگ و آمپلیفایرهای قدرت استفاده میشود.
مشخصات کلی RJP2557:
نوع: N-Channel Power MOSFET
بستهبندی: TO-3P (یک بستهبندی فلزی بزرگ مناسب برای دفع حرارت بالا)
ولتاژ درین-سورس (V...
170,100 تومان
|
RJP30A3 (bassoon) imported disassemble LCD dedicated MOSFET--PJDZ...
101,250 تومان
|
SMK1360 TO3P-3,SWITCHING REGULATOR APPLICATIONS...
125,550 تومان
|
97,200 تومان
|
نوع قطعه: IGBT (ترانزیستور دوقطبی با گیت عایقشده)مدل: TGA25N120NDبستهبندی: TO-3Pولتاژ کلکتور-امیتر (V<sub>CES</sub>): 1200Vجریان کلکتور (I<sub>C</sub>): 25Aولتاژ گیت-امیتر (V<sub>GE</sub>): ±20Vتوان تلفاتی (P<sub>tot</sub>): حدود 200...
249,075 تومان
|
مشخصات فنی TGAN40N60FD
نوع قطعه: IGBT قدرت با دیود آنتیپِرالوگ (Field‑Stop Trench)
ولتاژ Collector‑Emitter (VCES): 600 ولت
جریان Collector مداوم: تا 80 آمپر @25°C
رگولاسیون توان (Pc): حداکثر 231 وات
Vce(sat): ~1.8 ولت @25°C (سازگار با جریان بالا)
زمان بالا و پایین رفتن (tr، tf): ...
255,150 تومان
|
ترانزیستور TGAN60N60FD یک ترانزیستور قدرت نوع GaN FET (ترانزیستور اثر میدانی با نیمههادی گالیوم نیترید) است. این نوع ترانزیستورها نسبت به MOSFETهای سیلیکونی رایج، دارای سرعت سوئیچینگ بالاتر، مقاومت در حالت روشن پایینتر، و بهرهوری انرژی بسیار بهتر هستند.
مشخصات فنی TGAN60N60FD:
نو...
287,550 تومان
|
153,900 تومان
|
ترانزیستور W20NM60 (یا STW20NM60) یک MOSFET قدرتی N-Channel با ولتاژ بالا (600 ولت) و جریان بالا (20 آمپر) است که در بسیاری از کاربردهای الکترونیک قدرت و صنعتی مورد استفاده قرار میگیرد.
ویژگیهای مهم:
تحمل ولتاژ بالا (600V): مناسب برای کاربردهای صنعتی و سوئیچینگ با ولتاژ DC زیاد.
جریان...
178,200 تومان
|